RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um -8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.8
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
16.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
3937
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link