RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO M418039 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs INTENSO M418039 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
INTENSO M418039 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
INTENSO M418039 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
28
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO M418039 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
2414
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
INTENSO M418039 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link