RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Gesamtnote
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
31
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
5.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
5.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2213
1740
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link