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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
49
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
10.6
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
2814
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
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