RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
49
Rund um -158% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
15.0
Speicherbandbreite, mbps
17000
17000
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
3383
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link