RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
49
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
12.5
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
3005
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link