RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
49
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
12.5
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2427
3005
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link