Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Gesamtnote
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Gesamtnote
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Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Unterschiede

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.7 left arrow 6.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 49
    Rund um -75% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.8 left arrow 10.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 17000
    Rund um 1.13 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    49 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.9 left arrow 14.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.7 left arrow 6.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2427 left arrow 2014
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