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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
49
Rund um -53% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.9
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
11.9
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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