RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
63
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
63
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
1863
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link