RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
51
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.9
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
16.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3886
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link