RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
51
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3425
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link