RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
51
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3283
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
INTENSO 5641162 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link