RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
51
Rund um -89% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3198
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link