RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
51
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2588
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link