RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
51
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.2
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
22.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
17.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3938
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link