RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
51
Rund um -122% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2979
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link