RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
51
Rund um -34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.9
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2400
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link