RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
51
52
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
7.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2260
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link