RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
51
Rund um -89% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2537
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link