RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
6.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
51
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.3
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
10.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
6.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
1851
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link