RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
51
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
13.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2757
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link