RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
51
Rund um -70% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3491
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link