RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
51
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
3411
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMT325S6EFR8A-PB 2GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link