RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
51
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.3
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
6.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2208
2003
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link