RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
49
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2080
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link