RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
49
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2865
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link