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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
49
Rund um -75% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.7
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
21.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
17.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
3793
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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