RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
49
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2561
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link