RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
49
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
10.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2519
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link