RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
71
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
5.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
12.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
5.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
1359
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link