RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
49
Rund um -26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2760
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston K000MD44U 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link