RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
49
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
3040
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link