RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
49
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
9.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2254
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link