RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
49
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2631
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link