RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
49
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2354
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link