RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
49
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
3206
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link