RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
49
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
15.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2774
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link