RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Super Talent F3200UA8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Super Talent F3200UA8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
58
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Super Talent F3200UA8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.9
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
58
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
9.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2250
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link