RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
49
Rund um -113% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
49
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.2
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2465
2712
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link