RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
52
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
3136
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link