RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
52
Rund um -73% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
3106
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link