RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
52
Rund um -126% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
3208
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link