RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
52
Rund um -58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.3
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
19.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
15.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
3423
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link