RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
52
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.3
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.7
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
18.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
17.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
3956
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link