RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
52
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
9.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
2254
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link