RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
52
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
2756
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link