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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
52
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
2179
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
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