RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
52
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
2511
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology H641GU67G1600G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link