RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Gesamtnote
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
52
Rund um -73% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2179
2341
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link