RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Gesamtnote
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
44
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.7
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.2
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2293
3741
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB RAM-Vergleiche
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link